大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了(le)网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问(wèn)题(tí)隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全(qu美女脱了个精光露出奶囗和尿囗án)审查办(bàn)公室依(yī)法作(zuò)出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设施(shī)的运(yùn)营者应停(tíng)止采购美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)进(jìn)行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国(guó)家关(guān)键信息基础设施安全(quán)，是维护(hù)国家安全的必要(yào)措施(shī)。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各(gè)类平台产品服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安(ān)全(quán)风险，维护(hù)国家(jiā)安全(quán)，依(yī)据《中华人(rén)民(mín)共和国国家安全法》《中华(huá)人民(mín)共和国网络安全法》美女脱了个精光露出奶囗和尿囗，网络安全审查办公室(shì)按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已经(jīng)不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上下游(yóu)建立国(guó)内(nèi)外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在(zài)下(xià)游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果美光在(zài)中国区销售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉(chén)积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设(shè)备需(xū)求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化(huà)进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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